Termal buharlaştırma yöntemi ile üretilen n-ZnO/p-Si heteroeklem kontakların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu

Bu çalışmada, n-ZnO ince filmi p-Si yarıiletkeni ve mikroskop camı üzerinde termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmiştir. filmler, UV-Vis spektroskopisi, X-ışını kırınımı (XRD) enerji dağılımlı spektroskopisi (EDX) incelenmiştir. n-ZnO/p-Si diyotların elektriksel özellikleri karanlıkta oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) seri direnci (Rs), I-V C-V ölçümlerinden Cheung fonksiyonlarından hesaplanmıştır. Ayrıca optiksel 100 mW/cm2 AM 1.5 aydınlatma altında